Новое семейство PolarHT HiPerFET силовых MOSFET транзисторов IXYS

Новое семейство PolarHT HiPerFET силовых MOSFET транзисторов IXYS.

Новейшее поколение MOSFET транзисторов IXYS, получившее название PolarHT, является результатом существенных улучшений структуры кристалла (получен патент) на напряжение до 300 Вольт. Технология производства нового кристалла позволяет получить встроенный сверхбыстрый диод совместно с основным MOSFET транзистором. Улучшение структуры кристалла позволило уменьшить сопротивление канала в среднем на 30% и одновременное сокращение заряда затвора при переключении транзистора. Такое комплексное решение позволило увеличить удельную мощность ячейки и улучшить тепловые характеристики. Производительность семейства PolarHT позволяет получить более эффективные по цене решения в схемах плазменных дисплеев, в импульсных источниках питания и батарейной аппаратуре большой мощности.
В дополнение, PolarHT имеют отличные показатели dV/dt, что характерно для большинства MOSFET производства IXYS. Маркировка транзисторов имеет суффикс “P” в окончании: например, IXFH110N10P или IXFC52N30P.
Получить дополнительную информацию или узнать о наличии товара на складе Вы можете по телефону или по E-mail в компании «Аргуссофт Компани».
в Москве: (095) 217-2487, 217-2519, 217-2505, 217-2311, 217-2556; E-mail: components@argussoft.ru;
в Санкт-Петербурге: (812) 567-1867 E-mail: spb@argussoft.ru;
в Екатеринбурге: (343) 378-32-42; E-mail: ural@argussoft.ru;
в Новосибирске: (3832) 27-11-55 E-mail: nsk@argussoft.ru.

Опубликовано: 11 марта 2005 г.

Ключевые слова: нет

Извините, комментариев пока нет