Toshiba начинает производство флэш-памяти SLC NAND по 43нм технологическому процессу

Киев, 29.10.2008 – Корпорация Toshiba объявила о выпуске новой серии флэш-памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит чипов, изготовленных по 43нм техпроцессу. Разработчикам Toshiba удалось удвоить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56нм нормам.

Это максимально возможная на сегодняшний день плотность. Новые устройства будут доступны на рынке в первом квартале 2009 года.
Чипы SLC способны быстро обрабатывать большие объемы данных и были разработаны для применения в устройствах, требующих высокой скорости чтения и записи – мобильных телефонах, LCD панелях, серверах. Скорость записи у чипов SLC в 2.5 раза выше, чем у чипов MLC (Multi-Level Cell).
В последние годы корпорация Toshiba занималась активным продвижением на рынок модулей флэш-памяти высокой емкости типа MLC NAND, которые использовались для карт памяти и mp3-плееров. Производство флэш-памяти типа SLC было ограничено, для него использовались технологические нормы 56нм и 70нм. Расширяя производство SLC памяти высокой плотности, Toshiba рассчитывает укрепить свои позиции в сегменте компонентов, предназначенных для высокопроизводительных приложений.

Характеристики чипа 16Гбит
Серийный номер TC58NVG4S2EBA00
Плотность 16Gb
Напряжение 3.3В
Скорость программирования (типовая) 400 мкС / страница
Скорость стирания (типовая) 4 мС/ блок
Скорость доступа 40 мкС (случайный)
25 нС (последовательный)
Размер 14мм x 18мм

Опубликовано: 31 октября 2008 г.

Ключевые слова: нет

Извините, комментариев пока нет